Артикул:
Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USAПроизводитель:
Patriot Memory
BYN115 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
288Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
8.Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
tRAS: 43
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 8.
Напряжение питания: 1.2 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
tRAS: 43
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 8.
Напряжение питания: 1.2 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
8.
Напряжение питания
1.2 В
Упаковка чипов
односторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары