Артикул:
Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USAПроизводитель:
Patriot Memory
BYN110 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
288Напряжение питания
1.2 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 17
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 17
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
19200 Мб/с
Тактовая частота
2400 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Напряжение питания
1.2 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Patriot Memory PSD48G240082
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Напряжение питания: 1.2 В
BYN103 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD48G2400K
PC-индекс: PC4-19200
Буферизованная (Registered): нет
Количество ранков: 4
Напряжение питания: 1.2 В
BYN178 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD48G266681
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 8.
BYN115 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PV316G160C0K
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
BYN165 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PV38G160C0
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
BYN110 РУБ