Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN160 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
260Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
8Общие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Назначение: для ноутбука
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 8
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Назначение: для ноутбука
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 19
tRCD: 19
tRP: 19
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 8
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: нет
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Объем одного модуля
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
8
Напряжение питания
1.2 В
Подсветка элементов платы
нет
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Тип микросхем
1Gx8
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Patriot Memory PSD22G8002S
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 200
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.8 В
BYN118 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G13332
PC-индекс: PC3-10600
Буферизованная (Registered): нет
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN71 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G16002
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.7 В
BYN62 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G160081
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.5 В
BYN66 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD34G160081H
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.5 В
BYN90 РУБ