Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN88 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
204Количество ранков
1Количество чипов каждого модуля
4.Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 2 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4.
Напряжение питания: 1.5 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 2 Гб
Тайминги:
CL: 11
tRCD: 11
tRP: 11
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля: 4.
Напряжение питания: 1.5 В
Упаковка чипов: односторонняя
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
2 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
4.
Напряжение питания
1.5 В
Упаковка чипов
односторонняя
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4
BYN131 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR26S19D8/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 260
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN175 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR32N22S6/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN142 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 PC3-12800
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN106 РУБ
Модуль памяти Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.5 В
BYN88 РУБ