Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN632 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
240Количество ранков
2Напряжение питания
1.5 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Тактовая частота: 1866 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Тайминги:
CL: 10
tRCD: 11
tRP: 10
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
Количество ранков: 2
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Тактовая частота: 1866 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Тайминги:
CL: 10
tRCD: 11
tRP: 10
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: есть
Количество ранков: 2
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Объем одного модуля
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
1866 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.5 В
Радиатор
есть
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston KVR16LS11/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.35 В
BYN81 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN211 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11S8/4
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN82 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11S8H/4
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN128 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16S11S6/2
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Количество чипов каждого модуля: 4.
BYN83 РУБ