Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN737 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
204Количество ранков
2Напряжение питания
1.35 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 9
tRCD: 9
tRP: 9
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Количество ранков: 2
Тип: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 9
tRCD: 9
tRP: 9
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Количество ранков: 2
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.35 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston HX318C10FBK2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN683 РУБ
Модуль памяти Kingston HX318C10FK2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN632 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LS11/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.35 В
BYN81 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN260 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16N11S8/4
PC-индекс: PC3-12800
Буферизованная (Registered): нет
Емкость микросхем: 4 Гбит
Количество ранков: 1
BYN82 РУБ