Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN250 РУБ
PC-индекс
PC4-25600Количество модулей в комплекте
2Емкость микросхем
8 ГбитКоличество ранков
1Общие характеристики:
Тип: DDR4 DIMM
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 3200 МГц
Поддержка ECC: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-25600
Общий объем: 16 Гб
Цвет: черный
Тайминги:
CL: 16
tRCD: 18
tRP: 18
CAS Latency: 16T
Тайминги: 16-18-18
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Радиатор: есть
Количество ранков: 1
Расположение чипов: одностороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: есть
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: есть
Тип: DDR4 DIMM
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 2
Тактовая частота: 3200 МГц
Поддержка ECC: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC4-25600
Общий объем: 16 Гб
Цвет: черный
Тайминги:
CL: 16
tRCD: 18
tRP: 18
CAS Latency: 16T
Тайминги: 16-18-18
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В
Радиатор: есть
Количество ранков: 1
Расположение чипов: одностороннее
Число микросхем: 8
Емкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8
Профили XMP: есть
Профили AMP: нет
Подсветка элементов платы: есть
Комфорт
PC-индекс
PC4-25600
Количество модулей в комплекте
2
Назначение
для системного блока
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
16 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
3200 МГц
Тип
DDR4 DIMM
Форм-фактор
DIMM
Цвет
черный
Панель управления
Емкость микросхем
8 Гбит
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.35 В
Подсветка элементов платы
есть
Профили AMP
нет
Профили XMP
есть
Радиатор
есть
Расположение чипов
одностороннее
Тип микросхем
1Gx8
Число микросхем
8
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston HX316C10FWK2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN465 РУБ
Модуль памяти Kingston HX316LS9IB/8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.35 В
BYN737 РУБ
Модуль памяти Kingston HX318C10FBK2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN683 РУБ
Модуль памяти Kingston HX318C10FK2/16
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.5 В
BYN632 РУБ
Модуль памяти Kingston KVR16LS11/4
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 204
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.35 В
BYN81 РУБ