Артикул:
Lenovo (Shanghai) Electronics Technology Co., Ltd., No.68 Building, 199 Fenju Road, Wai Gao Qiao FTZ, Shanghai, КитайПроизводитель:
Lenovo
BYN292 РУБ
Буферизованная (Registered)
естьКоличество контактов
288Количество ранков
2Напряжение питания
1.2 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Назначение: для сервера
Общий объем: 16 Гб
Тайминги:
CL: 19
CAS Latency: 19
Тайминги: 19-19-19
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 2
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Тип: DDR4
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: есть
Буферизованная (Registered): есть
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 288
Назначение: для сервера
Общий объем: 16 Гб
Тайминги:
CL: 19
CAS Latency: 19
Тайминги: 19-19-19
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 2
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет
Комфорт
Буферизованная (Registered)
есть
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для сервера
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
16 Гб
Поддержка ECC
есть
Пропускная способность
21300 Мб/с
Тактовая частота
2666 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Панель управления
Количество ранков
2
Напряжение питания
1.2 В
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти MICRON 128ГБ DDR4 3200 МГц MTA72ASS16G72LZ-3G2F1R
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 4
Напряжение питания: 1.2 В
BYN6480 РУБ
Модуль памяти NANYA 16ГБ DDR4 3200 МГц NT16GA72D8PFX3K-JR
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN291 РУБ
Модуль памяти NANYA 8ГБ DDR4 3200 МГц NT8GA72D89FX3K-JR
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 1
Напряжение питания: 1.2 В
BYN175 РУБ
Модуль памяти QNAP 16ГБ DDR4 2666 МГц RAM-16GDR4ECT0-UD-2666
PC-индекс: PC4-21300
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 8 Гбит
Напряжение питания: 1.2 В
BYN6346 РУБ
Модуль памяти Samsung 128GB DDR4 PC4-25600 M386AAG40AM3-CWEZY
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Подсветка элементов платы: нет
BYN7606 РУБ