Артикул:
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USAПроизводитель:
Kingston
BYN233 РУБ
Количество модулей в комплекте
1Общий объем
8 ГбНапряжение питания
1.1 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR5 SO-DIMM
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 5200 МГц
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 42
tRCD: 42
tRP: 42
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.1 В
Тип: DDR5 SO-DIMM
Форм-фактор: SODIMM
Объем одного модуля: 8 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 5200 МГц
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 42
tRCD: 42
tRP: 42
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.1 В
Комфорт
Количество модулей в комплекте
1
Общий объем
8 Гб
Объем одного модуля
8 Гб
Тактовая частота
5200 МГц
Тип
DDR5 SO-DIMM
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Напряжение питания
1.1 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Kingston Renegade RGB KF436C18RB2AK2/64
Количество модулей в комплекте: 2
Общий объем: 64 Гб
Напряжение питания: 1.35 В
BYN715 РУБ
Модуль памяти Lenovo 64GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08710
PC-индекс: PC4-23400
Количество модулей в комплекте: 1
Емкость микросхем: 16 Гбит
Количество ранков: 2
BYN6540 РУБ
Модуль памяти Lenovo 7X77A01303
Буферизованная (Registered): есть
Количество контактов: 288
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN292 РУБ
Модуль памяти MICRON 128ГБ DDR4 3200 МГц MTA72ASS16G72LZ-3G2F1R
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 4
Напряжение питания: 1.2 В
BYN6480 РУБ
Модуль памяти NANYA 16ГБ DDR4 3200 МГц NT16GA72D8PFX3K-JR
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 2
Напряжение питания: 1.2 В
BYN291 РУБ