Код товара: CT51264BF160B
Артикул:
Micron Technology, Inc. 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, 83707-0006, USA.
Производитель:
Crucial
BYN148 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Crucial CT8G4SFS8266
PC-индекс: PC4-21300 Буферизованная (Registered): нет Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN84 РУБ
Модуль памяти Geil GN34GB1600C11S
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.5 В
BYN156 РУБ
Модуль памяти Patriot Memory PSD32G16002
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.5 В
BYN77 РУБ
Модуль памяти Team Elite 8ГБ DDR4 3200 МГц TED48G3200C22016
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN193 РУБ
Модуль памяти Crucial Ballistix 2x8GB DDR4 PC4-21300 BL2K8G26C16U4B
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 2 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN477 РУБ