Артикул:
Hewlett-Packard Company, 3000 Hanover Street Palo Alto, CA 94304-1185, USAПроизводитель:
HP
BYN154 РУБ
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 чДата выхода на рынок
2019Общие характеристики:
Объем: 0.256 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 3200 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1200 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 180 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 250 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 4.29 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.73 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2262
Дата выхода на рынок: 2019
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 160 TBW
Объем: 0.256 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 3200 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1200 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 180 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 250 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 4.29 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.73 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2262
Дата выхода на рынок: 2019
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 160 TBW
Комфорт
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2019
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Контроллер
Silicon Motion SM2262
Объем
0.256 Тб
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
160 TBW
Скорость последовательного чтения
3200 Мб/с
Скорость последовательной записи
1200 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
180 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
250 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
M.2
Энергопотребление (ожидание)
0.73 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
4.29 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
SSD HP EX950 1TB
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2262EN
BYN460 РУБ
