Артикул:
Hewlett-Packard Company, 3000 Hanover Street Palo Alto, CA 94304-1185, USAПроизводитель:
HP
BYN198 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетВремя наработки на отказ (МТBF)
2000000 чОбщие характеристики:
Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 2150 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1815 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 260 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 3.55 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.68 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2263XT
Дата выхода на рынок: 2019
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 2150 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1815 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 260 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 3.55 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.68 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Контроллер: Silicon Motion SM2263XT
Дата выхода на рынок: 2019
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000 ч
Дата выхода на рынок
2019
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
Контроллер
Silicon Motion SM2263XT
Объем
1 Тб
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Скорость последовательного чтения
2150 Мб/с
Скорость последовательной записи
1815 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
250 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
260 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
M.2
Энергопотребление (ожидание)
0.68 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
3.55 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
