Артикул:
Samsung Electronics Co., Ltd, 22nd Fl., Samsung Life Bldg., 1321-15, Seocho 2-dong, Secho-gu, Seoul 137-955, KoreaПроизводитель:
Samsung
BYN101 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
260Количество ранков
1Напряжение питания
1.2 ВОбщие характеристики:
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 17
tRCD: 17
tRP: 17
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Тип: DDR4
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 2400 МГц
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 260
Общий объем: 4 Гб
Тайминги:
CL: 17
tRCD: 17
tRP: 17
Дополнительно:
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
19200 Мб/с
Тактовая частота
2400 МГц
Тип
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Панель управления
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары