Код товара: CT51264BF160BJ
Артикул:
Micron Technology, Inc. 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, 83707-0006, USA.
Производитель:
Crucial
BYN109 РУБ
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Напряжение питания
1.35 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3L
Форм-фактор: SODIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 204
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CL: 11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.35 В

Комфорт

Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3L
Форм-фактор
SODIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.35 В

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти G.SKILL Aegis 8GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-8GISB
PC-индекс: PC4-24000 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.35 В Профили AMP: нет
BYN80 РУБ
Модуль памяти G.SKILL F3-1600C9S-4GRSL
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Напряжение питания: 1.35 В
BYN42 РУБ
Модуль памяти A-Data XPG GAMMIX D20 32GB DDR4 PC4-25600 AX4U320032G16A-CBK20
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.35 В Подсветка элементов платы: нет
BYN383 РУБ
Модуль памяти AMD R538G1601S2SL-UO
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 204 Напряжение питания: 1.35 В
BYN72 РУБ
Модуль памяти AMD Radeon R9 Gamer Series 2x8GB DDR4 PC4-25600 R9S416G3206U2K
PC-индекс: PC4-25600 Буферизованная (Registered): нет Напряжение питания: 1.35 В Подсветка элементов платы: нет
BYN130 РУБ