Артикул:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, SeoulПроизводитель:
Samsung
BYN676 РУБ
Адаптер 3.5" в комплекте
нетАппаратное шифрование
естьОбщие характеристики:
Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с
Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 97 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 3 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Контроллер: Samsung MJX
Дата выхода на рынок: 2018
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 600 TBW
Буфер обмена: 1024 Мб
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: SATA 3.0
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с
Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 97 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 3 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Контроллер: Samsung MJX
Дата выхода на рынок: 2018
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 600 TBW
Буфер обмена: 1024 Мб
Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Комфорт
Адаптер 3.5" в комплекте
нет
Аппаратное шифрование
есть
Буфер обмена
1024 Мб
Время наработки на отказ (МТBF)
1500000 ч
Дата выхода на рынок
2018
Интерфейс
SATA 3.0
Контроллер
Samsung MJX
Объем
1 Тб
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
600 TBW
Скорость последовательного чтения
550 Мб/с
Скорость последовательной записи
520 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
97 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
88 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Форм-фактор
M.2
Энергопотребление (ожидание)
0.05 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
3 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары