Код товара: QUM3U-4G1600С11
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN96 РУБ
PC-индекс
PC3-12800
Количество модулей в комплекте
1
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.5 В
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3 DIMM
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Поддержка ECC: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CAS Latency: 11T

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Тип микросхем: 512Mx8
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет

Комфорт

PC-индекс
PC3-12800
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3 DIMM
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Количество ранков
1
Напряжение питания
1.5 В
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет
Тип микросхем
512Mx8

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo QUM4S-16G2400N17
PC-индекс: PC4-19200 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN176 РУБ
Модуль памяти Samsung 8GB DDR4 PC4-19200 M393A1G43EB1-CRC
PC-индекс: PC4-19200 Количество модулей в комплекте: 1 Емкость микросхем: 4 Гбит Количество ранков: 2
BYN200 РУБ
Модуль памяти Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M391A1K43DB2-CWEQY
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN190 РУБ
Модуль памяти Silicon Power 16GB DDR4 PC4-19200 SP016GBLFU240B02
PC-индекс: PC4-19200 Буферизованная (Registered): нет Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN184 РУБ
Модуль памяти Silicon Power SP008GLLTU160N02
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 240 Напряжение питания: 1.35 В
BYN51 РУБ