Артикул:
Corsair Components, Inc. USA, 47100 Bayside Parkway Fremont, CA 94538Производитель:
Corsair
BYN455 РУБ
Аппаратное шифрование
естьБуфер обмена
1024 МбОбщие характеристики:
Объем: 0.96 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3480 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 700 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 280 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 6.9 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч
Толщина: 3 мм
Контроллер: Phison PS5012-E12
Дата выхода на рынок: 2018
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 720 TBW
Буфер обмена: 1024 Мб
Объем: 0.96 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3480 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 700 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 280 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 6.9 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1800000 ч
Толщина: 3 мм
Контроллер: Phison PS5012-E12
Дата выхода на рынок: 2018
Подсветка: нет
Радиатор охлаждения: нет
Размеры М.2: 2280
Ресурс записи: 720 TBW
Буфер обмена: 1024 Мб
Комфорт
Аппаратное шифрование
есть
Буфер обмена
1024 Мб
Время наработки на отказ (МТBF)
1800000 ч
Дата выхода на рынок
2018
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Контроллер
Phison PS5012-E12
Объем
0.96 Тб
Подсветка
нет
Радиатор охлаждения
нет
Размеры М.2
2280
Ресурс записи
720 TBW
Скорость последовательного чтения
3480 Мб/с
Скорость последовательной записи
3000 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения
700 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
280 000 IOps
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Толщина
3 мм
Форм-фактор
M.2
Энергопотребление (чтение/запись)
6.9 Вт
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары