Код товара: QUM3U-4G1600K11R
Артикул:
QUMO Limited, 20 Soudrey Way Butetown Cardiff CF10 5FW
Производитель:
Qumo
BYN91 РУБ
PC-индекс
PC3-12800
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Профили AMP
нет
Все характеристики
Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 4 Гб
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Назначение: для системного блока
PC-индекс: PC3-12800
Общий объем: 4 Гб

Тайминги:
CAS Latency: 11T
Тайминги: 11-11-11

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В
Радиатор: нет
Профили XMP: нет
Профили AMP: нет

Комфорт

PC-индекс
PC3-12800
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для системного блока
Общий объем
4 Гб
Объем одного модуля
4 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM

Панель управления

Напряжение питания
1.5 В
Профили AMP
нет
Профили XMP
нет
Радиатор
нет

Габариты и вес

Отзывов: 0
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Модуль памяти Qumo QUM4S-16G2400P16
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 260 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN118 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-16G2933N21
PC-индекс: PC4-23400 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 1 Напряжение питания: 1.2 В
BYN172 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-32G2666N19
PC-индекс: PC4-21300 Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 2 Напряжение питания: 1.2 В
BYN273 РУБ
Модуль памяти Qumo QUM4U-8G2400P16
Буферизованная (Registered): нет Количество контактов: 288 Количество чипов каждого модуля: 8. Напряжение питания: 1.2 В
BYN83 РУБ
Модуль памяти Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY
PC-индекс: PC4-25600 Количество модулей в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.2 В Подсветка элементов платы: нет
BYN415 РУБ