Артикул:
Electronics Technology (Kunshan) Co., Ltd No. 25, Third Avenue, A Zone, Kunshan Comprehensive Free Trade Zone, Kunshan, Jiangsu, КитайПроизводитель:
Foxline
BYN135 РУБ
Буферизованная (Registered)
нетКоличество контактов
240Общие характеристики:
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 11
Тип: DDR3
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Количество контактов: 240
Общий объем: 8 Гб
Тайминги:
CL: 11
Комфорт
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Общий объем
8 Гб
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
Модуль памяти Foxline FL1600D3U11S-4GH
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.5 В
BYN72 РУБ
Модуль памяти Foxline FL1600LE11-8
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 240
Напряжение питания: 1.35 В
BYN241 РУБ
Модуль памяти Foxline FL2400D4U17-4G
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
BYN85 РУБ
Модуль памяти Foxline FL2400D4U17-8G
Буферизованная (Registered): нет
Количество контактов: 288
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
BYN130 РУБ
Модуль памяти G.SKILL Aegis 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GIS
PC-индекс: PC4-25600
Количество модулей в комплекте: 1
Напряжение питания: 1.35 В
Подсветка элементов платы: нет
BYN397 РУБ